IPB60R280P7ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC50N08S5N102ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB60R280P7ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55°C to +175°C |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-33 |
| Qualification | — | AEC-Q101 |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |