IPB60R280P7ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R280P7ATMA1 מאת Infineon ו IAUC50N08S5N102ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB60R280P7ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| מארז | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55°C to +175°C |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-33 |
| Qualification | — | AEC-Q101 |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |