IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC70N04S5L4R2ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC019N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPC70N04S5L4R2ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (up to 260°C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% (60 A production test) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) Compliant
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C
Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں