IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPC70N04S5L4R2ATMA1 bằng Infineon và BSC019N08NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N08NS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPC70N04S5L4R2ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Hộp PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% (60 A production test) —
Trạng thái RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C
Avalanche Rated — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá