IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs IPD038N06NF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC90N04S5L3R3ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD038N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPD038N06NF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.3 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.7 V to 2.7 V (logic level) —
Total Power Dissipation (TC=25°C) 62 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C -55°C to +175°C
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Qualification AEC-Q101 automotive qualified —
Avalanche Tested 100% (production-level) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Technology — OptiMOS (Trench)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.85 mΩ max
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 68 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6700 pF
Output Capacitance (Coss) — 670 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 43 pF
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Channel Mode — Enhancement

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں