IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs IPD068P03L3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC90N04S5L3R3ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD068P03L3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPC90N04S5L3R3ATMA1 | IPD068P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V | OptiMOS P-Channel Power MOSFET |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.7 V to 2.7 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (TC=25°C) | 62 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temp range] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Moisture Sensitivity | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (production-level) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 100 W |
| R_DS(on) max at V_GS=-10V | — | 0.005 ohm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | -1.0 V to -2.2 V |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (junction) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |