IPD038N06N3GATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD038N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD038N06N3GATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Series | OptiMOS 60V | CoolMOS™ E6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.8 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |