IPD50N06S409ATMA2 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N06S409ATMA2 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ فعال
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50N06S409ATMA2 BSC076N04NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK) —
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں