IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD65R380E6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N10S3L16ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD50N10S3L16ATMA2 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-T | CoolMOS™ E6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 100 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Delivery Form | Tape and Reel (T&R) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |