IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R180P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R180P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD65R380E6ATMA1 | IPD60R180P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 72 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Shipping Package | — | Tape and Reel (ATMA1 suffix) |