IPG20N04S4L08ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L08ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N04S4L08ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) —
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Technology — OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پیکیج — PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں