IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R180P6AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R105P7AUMA1 IPL60R180P6AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Lead-Free Yes Yes
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں