IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN95R3K7P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN70R1K4P7SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN95R3K7P7ATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) Superjunction (CoolMOS P7)
پیکیج PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں