IPP200N15N3GXKSA1 vs IPP147N12N3GXKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP200N15N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP147N12N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPP200N15N3GXKSA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPP200N15N3GXKSA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP200N15N3GXKSA1 | IPP147N12N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID max, Tc) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot max, Tc=25C) | 150 W | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| پیکیج | TO-220-3 (PG-TO220-3), through-hole | PG-TO220-3 (through-hole) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per distributor listing suffixes XKSA1) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL لیول | Not Applicable (through-hole) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 56 A (Ta, per DigiKey listing) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 107 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| پنز کی تعداد | — | 3 (3+Tab) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg value] |
| Rds(on) max | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max in mOhm at Vgs=10V] |
| Vgs(th) (Gate Threshold) | — | [DATA_NEEDED: typical gate threshold voltage] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: typical Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: typical Coss] |
| Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: body-diode reverse recovery time] |
| Avalanche Energy Rating | — | Single-pulse avalanche rated |
| Qualification | — | Automotive grade (per datasheet.live listing 'Automotive') |
| Packing Method | — | Tube |