IPW60R037P7XKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R037P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP037N08N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPW60R037P7XKSA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ P7 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| پیکیج | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| پن کی تعداد | — | 3 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |