IPW60R037P7XKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPW60R037P7XKSA1 توسط Infineon و IPP037N08N3GXKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPW60R037P7XKSA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ P7 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| بسته‌بندی | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| نوع نصب | Through Hole | Through Hole |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| تعداد پایه | — | 3 |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |