IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSC0902NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH35N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0902NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQDH35N03LM5CGATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (Tj) |
| پیکیج | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |