IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD020N10NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) —
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 100V (IQD series)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 276 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 26 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 2.0 mOhm at VGS = 10 V
On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing — 1.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.8 V
Gate Charge (Qg, total) — 107 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 7.3 nF
Output Capacitance (Coss) — 1 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 42 pF
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Gate Drive Level — Logic-level (10 V VGS rated)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں