IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGSCATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQDH88N06LM5CGSCATMA1 توسط Infineon و IQD020N10NM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
اتلاف توان (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C (TJ) —
بسته‌بندی PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 100V (IQD series)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 276 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 26 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 2.0 mOhm at VGS = 10 V
On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing — 1.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.8 V
Gate Charge (Qg, total) — 107 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 7.3 nF
Output Capacitance (Coss) — 1 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 42 pF
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Gate Drive Level — Logic-level (10 V VGS rated)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت