IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE008N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Single N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 2 V (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Polarity | N-Channel | — |
| پنز کی تعداد | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |