IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE013N04LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE020N04LM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE013N04LM6ATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 6, TrenchFET-class
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
پیکیج PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55°C to +150°C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Configuration — Single N-Channel, source-down
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں