IQE018N06NM6SCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE018N06NM6SCATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE018N06NM6SCATMA1 IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE018N06NM6SCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 178 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.8 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 125 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں