IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE020N04LM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE004NE1LM7CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE020N04LM6CGATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | N-Channel Trench Power MOSFET |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 89 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |