IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE020N04LM6CGATMA1 توسط Infineon و IQE004NE1LM7CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE020N04LM6CGATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 7 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| بسته‌بندی | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +150°C | — |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | N-Channel Trench Power MOSFET |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 89 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| دمای کاری | — | -55C to +150C (junction) |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |