IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE013N04LM6SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE036N08NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE013N04LM6SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE013N04LM6SCATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS Source-Down MOSFET | Infineon
IQE013N04LM6SCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQE013N04LM6SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (junction, Tj) | [DATA_NEEDED: T_J min/max] |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-WHSON-8-1 (3.3 mm × 3.3 mm Source-Down PQFN) with exposed pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | — | ±20 V |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 1.35 mΩ |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | — | [DATA_NEEDED: I_D at T_C] (per distributor listing 205 A pulsed) |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | — | 205 A |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | — | 107 W |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 41 nC |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) @ V<sub>DS</sub>=20 V | — | 3800 pF |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Part Family | — | OptiMOS Source-Down, 40 V, 3.3×3.3 PQFN |