IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE008N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typical) |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | Trench MOSFET (N-Channel) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |