IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE220N15NM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQE008N03LM5SCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typical) |
| מארז | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | Trench MOSFET (N-Channel) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |