IQE220N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE220N15NM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (Trench >=100V) OptiMOS 5, Source-Down
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
پیکیج PG-WHSON-8-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
پنز کی تعداد 8 —
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں