IQE220N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE220N15NM5SCATMA1 מאת Infineon ו IQE220N15NM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 ✓ פעילInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE220N15NM5SCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench >=100V) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| מארז | PG-WHSON-8-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| מספר פינים | 8 | — |
| רמת MSL | 1 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |