IRF3205STRLPBF vs IPP120N04S4-02 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF3205STRLPBF بذریعہ Infineon اور IPP120N04S4-02 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF3205STRLPBF IPP120N04S4-02
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (Tj) —
پیکیج TO-263-3 (D2PAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) —
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS-T2
FET Type — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 degC) — 120 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — 480 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.9 mOhm (DigiKey listing); 1.8 mOhm (Infineon product page)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) and V_GS range]
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 degC) — 158 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 degC to +175 degC
Package / Mounting Type — PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole)
AEC Qualification — AEC qualified (automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1, 260 degC peak reflow
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant (Green Product), lead-free
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Single Pulse Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — [DATA_NEEDED: E_AS]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R<sub>thJC</sub>) — [DATA_NEEDED: R_thJC degC/W]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں