IRF4905SPBF vs IRF4905STRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905SPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905SPBF IRF4905STRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C -55 C to +175 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
پیکیج D2PAK (TO-263) surface mount D2PAK (TO-263-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (Advanced Process)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں