IRF4905SPBF vs IRF4905STRRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF4905SPBF מאת Infineon ו IRF4905STRRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF4905SPBF | IRF4905STRRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | -2.0 V to -4.0 V |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +150 C | -55 C to +175 C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| מארז | D2PAK (TO-263) surface mount | D2PAK (TO-263-3) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, planar cell | HEXFET (Advanced Process) |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | 120 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -74 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 170 W |
| Lead-Free | — | Yes |