IRF7105TRPBF vs IRF7351TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7105TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7105TRPBF IRF7351TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET trench)
پیکیج 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
پن کی تعداد 8 —
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
RoHS اسٹیٹس — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں