IRF7105TRPBF vs IRF7351TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7105TRPBF توسط Infineon و IRF7351TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7105TRPBF IRF7351TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET trench)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
تعداد پایه 8 —
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
وضعیت RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت