IRF7205PBF vs IRF9Z34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7205PBF بذریعہ Infineon اور IRF9Z34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7205PBF IRF9Z34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -4.6 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 70 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1 V to -3 V (typical) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology IR MOSFET (HEXFET, planar cell) HEXFET (5th generation)
پیکیج SO-8 TO-220AB (through-hole, 3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55C to +175C (junction)
Power Dissipation (TA=25C) [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] —
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free per PBF suffix) Compliant
Generation Fourth Generation HEXFET —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں