IRF7313TRPBF vs IRF7309TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7313TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7309TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7313TRPBF IRF7309TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR HEXFET Generation V
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
پیکیج 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
MSL لیول 1 MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Polarity — N+P
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Packaging — Tape & Reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں