IRF7854TRPBF vs IRFH5300TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5300TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7854TRPBF IRFH5300TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.48 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ 1.4 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
پیکیج SO-8 PQFN-8 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) HEXFET (StrongIRFET)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 40 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 336 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — 50 nC
Power Dissition at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 250 W
Gate Drive Level — Logic-level (5V optimized)
JEDEC Qualification — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں