IRFB4110PBF vs IRF1407PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4110PBF بذریعہ Infineon اور IRF1407PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4110PBF | IRF1407PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3 leads) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (stripe-planar MOSFET) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 130 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 330 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 7.8 mOhm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] |
| Gate Charge (Qg) | — | 160 nC (typical) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |