IRFH5015TRPBF vs IRFR7540TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR7540TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5015TRPBF IRFR7540TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
پیکیج 8-PQFN (5x6) SuperSO8 TO-252AA (DPAK) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (TJ max) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 110 A (limited by TJmax)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 140 W
RDS(on) max at VGS=10V — 4.8 mΩ
RDS(on) typical at 100µA VGS — 3.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.7 V typical
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (TJ max)
MSL لیول — 1
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں