IRFH5300TRPBF vs IRF7854TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5300TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5300TRPBF IRF7854TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $0.48
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 40 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 336 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.4 mOhm 13.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) 50 nC —
Power Dissition at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 250 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +150°C (TJ)
پیکیج PQFN-8 (5x6 mm) SO-8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (planar N-channel)
Gate Drive Level Logic-level (5V optimized) —
JEDEC Qualification Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں