IRFP250NPBF vs IRFP250MPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP250NPBF بذریعہ Infineon اور IRFP250MPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFP250NPBF IRFP250MPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $2.55
Technology N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 214 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
پیکیج TO-247AC (through-hole) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (TJ) —
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Switching Frequency Optimization Optimized for applications below 100 kHz —
Qualification Standard JEDEC —
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Planar Cell Structure Yes (wide SOA) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP250MPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پیکیج / کیس — TO-247AC (3-pin + tab)
پنز کی تعداد — 3
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes
MSL لیول — 1 (unlimited)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں