IRFP250NPBF vs IRFP250MPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP250NPBF מאת Infineon ו IRFP250MPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP250NPBF IRFP250MPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $2.55
Technology N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 214 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
מארז TO-247AC (through-hole) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (TJ) —
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Switching Frequency Optimization Optimized for applications below 100 kHz —
Qualification Standard JEDEC —
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Planar Cell Structure Yes (wide SOA) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP250MPBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מארז / Case — TO-247AC (3-pin + tab)
מספר פינים — 3
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes
רמת MSL — 1 (unlimited)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר