IRFR3411TRPBF vs IRF7815TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3411TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7815TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3411TRPBF IRF7815TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +150C (Tj)
پیکیج TO-252AA (DPAK) SO-8 (8-SO)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 150 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 43 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — 25 nC
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
MSL لیول — 1
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free)
Lead-Free — Yes
Configuration — Single

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں