IRFR5505TRPBF vs IRFR024NTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5505TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR024NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR5505TRPBF | IRFR024NTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Series | HEXFET | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET 5th generation) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -72 A | 60 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 110 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21.3 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Rise Time (tr) | [DATA_NEEDED: tr] | — |
| Fall Time (tf) | [DATA_NEEDED: tf] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 57 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 2.2 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) | — |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (PBF suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Product Series | — | HEXFET Power MOSFET (5th generation) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (at TC = 25 C) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | 13.3 nC |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 45 W (at TC = 25 C) |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free / PbF terminations) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |