IRFS3306PBF vs IRFB3207ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3306PBF بذریعہ Infineon اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3306PBF IRFB3207ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A (package limited) —
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.2 mOhm 4.1 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm 3.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ 85 nC —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] —
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C 230 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (3-lead through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) N/A (through-hole)
Lead-Free / RoHS PbF (lead-free), RoHS compliant Yes (PBF suffix = lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں