IRFZ44NPBF vs IRLZ44NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ44NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ44NPBF IRLZ44NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 °C to +175 °C
پیکیج TO-220AB (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (advanced process)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں