IRLML5103TRPBF vs BSS138NH6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML5103TRPBF بذریعہ Infineon اور BSS138NH6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ فعال
Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML5103TRPBF BSS138NH6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current 760 mA at Ta —
Power Dissipation 540 mW at Ta —
Maximum On-Resistance 600 mOhm —
Gate Charge 3.4 nC —
Technology IR MOSFET —
پیکیج Micro3/SOT-23 PG-SOT-23 (3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage Rating -30 V —
Channel Mode Enhancement —
آپریٹنگ درجہ حرارت 175 C —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Footprint SOT-23 —
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
ہیلوجن فری — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں