IRLR3110ZTRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3110ZTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3110ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 42 A —
Maximum Drain Current (ID max) 63 A —
On-Resistance (RDS(on) max) 14 mOhm —
Gate Charge (Qg) 34 nC —
Technology IR HEXFET / Trench MOSFET HEXFET / Trench MOSFET
Gate Drive Level Logic-Level —
Power Dissipation (PD) at TC 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +175C
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Repetitive Avalanche Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix) Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] 1 (Unlimited)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10V — 14 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں