IRLR3110ZTRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR3110ZTRLPBF bằng Infineon và IRLR3110ZTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR3110ZTRLPBF | IRLR3110ZTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 42 A | — |
| Maximum Drain Current (ID max) | 63 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 14 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) | 34 nC | — |
| Technology | IR HEXFET / Trench MOSFET | HEXFET / Trench MOSFET |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 140 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Repetitive Avalanche Rated | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | 1 (Unlimited) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 14 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes (PBF suffix) |
| Đông trùng haogen | — | Yes |