IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRPBF IRLR3410TRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR HEXFET (IR MOSFET process)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 17 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 79 W
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 105 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1 V (at 250 uA)
Packaging Style — Tape & Reel Right (TRR)
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں